千禧年半导体生存指南

第二百二十六章 进击的新芯科技(1/2)

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索尼在当下属于不折不扣的消费电子龙头,在所有涉及的领域都有着极强的影响力,几乎都能排到前五。

给苹果做解码芯片,从几百万片的数量到几千万片,而给索尼做,如果能够进入索尼的主流生产线,一开始就能够到上千万的量,索尼的产品在2000年代压根不存在卖不出去这种可能性。

似乎只要把产品做出来了,就会有消费者愿意买单。

即便到了二十年后,索尼的智能手机在全球市场没有声量,但是在其他消费电子领域依然有索尼的一席之地。

因此关建英很希望和索尼达成长期的合作关系,加上他认为新芯科技和索尼达成合作具备天然的基础。

之前索尼和新芯科技围绕着蓝牙芯片就展开过合作,加上索尼自己旗下有着大大小小的第一方游戏工作室,一直都是拳头游戏和Mphone的合作伙伴。

因此双方是存在互信基础在的。

对关建英个人而言,新芯科技之前的销售网络全部依赖于周新的商业版图,他作为新芯科技的副总裁并没有在商业关系合作上发挥太大作用,没有把他前二十年的芯片从业经验最大程度利用起来。

关建英也希望以和索尼集团的全面合作为契机,让新芯科技在移动芯片领域的影响力再上一个台阶。

并且他有信心,索尼的掌机选择新芯的话,任天堂也手到擒来。

最了解你的永远是你的竞争对手,索尼选择了新芯科技,只要新芯的价格合适,任天堂没有拒绝的理由。

能够同时成为索尼和任天堂的合作伙伴,这也意味着新芯在掌机领域成为最重要的芯片供应商之一了。

中村末广面露难色:“关桑,你知道的我只是半导体事业部的部长,别说索尼集团,我连索尼游戏都没有决定权。

你和我谈这个,多少有点超过我的管辖范围了。”

中村末广在索尼研发部门的地位很高,准确来说中村在整个索尼体系里地位都很高。但是他在不久后会被边缘化,因为索尼的半导体事业部在PSP芯片研发上犯了严重的失误。

这一失误导致索尼的PSP掌机最大的短板出现在了芯片上。

关建英说:“中村,我知道你的意思,这次来我也是有事想提醒你,你之前说过你们想使用东芝最先进的90nm工艺,采用90nm工艺能够提高不少性能。

但是根据新芯研究部门的研究结果表明,如果采取90nm工艺,但是在超低K值介电材料的研发没有跟上的话,会造成严重的漏电流问题。

该问题导致采用先进制程,功耗不但没有降低,反而还增加了。”

后来很多厂商在从0.13微米进入90nm的时候都遇到了类似的问题,超低K值介电材料导致的漏电问题,以至于英特尔直接跳过了90nm节点,进入到了0.65nm的节点。

中村末广也正是因为这一失误,而被边缘化了,然后没有多久被发配到以他名字命名的中村研究所了。

正是因为索尼PSP芯片的漏电问题,导致首批PSP芯片明明能跑到333MHz,但是受限于漏电问题,导致最高只能跑到222MHz。

当时索尼甚至专门发布了公告:2006年3月前生产的PSP,CPU跑在222MHz,2006年3月后生产的,CPU可以跑在366MHz,用户可以自行选择。

中村末广眼睛眯了起来:“关桑,新芯在移动芯片领域的造诣深厚,你们的A1E芯片已经把130nm制程发挥到了极限,甚至比我们通过90nm制程设计的芯片性能还要更好。

我们的研发部门一直想绕开新芯的专利都没办法做到,我很相信新芯科技在这一领域的实力,但是新芯科技目前用过最先进的制程应该就只有130nm吧?

目前市面上还没有芯片代工厂商开始大规模推90nm制程的芯片,我们的芯片也才在索尼和东芝共建的晶圆厂少量生产。

你们怎么知道存在这种问题的?”

中村很谨慎,大家关系好归关系好,他也不希望看到索尼被新芯科技渗透的和筛子一样。

关建英说:“因为我们即将推出的第二代Mphone也将采用90nm的工艺,离第一代Mphone已经过去两年时间了,Matrix之所以没有发布新一代Mphone,很大一部分原因是因为芯片性能还没有实现突破。

我们在和IBM、德州仪器、三星这些芯片生产厂商合作的时候,新芯科技的A2系列芯片在流片的时候普遍发现超低K值介电材料会存在漏电流的问题。

所以之前你一和我们说索尼新一代掌机要采取最先进的芯片技术,我就猜到了你们同样会面临这一问题。”

中村心想,原来是我泄露的吗?我只是说了这么含糊的一句,关桑就推测出了这么多东西?

他内心不由得一阵佩服,然后连忙问:“新芯科技遇到了同样的问题,看来关桑是想到了解决方法?”

中村末广显然格外上心,要是PSP的芯片出了问题,那死的第一个就是他。

关建英点头:“新芯科技从两年前开始着手超低K介电材料的应用,目前推出了新一代氧化硅技术可以解决这个问题。

我们把它叫做Black Diamond薄膜,它的有效介电常数会小于3.0,同时采取新芯科技独有的双镶嵌工艺后,可以将电容值降低25%到35%之间。”

这是新芯科技在硅谷的研发中心的成果,准确来说周新在成功卖掉quora之后在硅谷成立了研发中心,有软件层面的研发中心也有半导体领域的研发中心。

其中超低K介电材料就是半导体研发中心过去两年重要研发课题之一,因为周新天然知道超低K介电材料未来在半导体材料中会越来越重要,并且他也大致知道阿美利肯的应用材料公司是如何解决这个问题的。

低k介质在超大规模集成电路中,随着器件集成度的提高和延迟时间进一步减小,需要它作为绝缘材料,以保证器件的高速性能并控制能耗。而随着芯片体积的缩小,对低K介质的要求也越来越高。

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